評(píng)價(jià)高頻貼片電容器的一個(gè)重要功能指標(biāo)是質(zhì)量要素Q，或者是與其有關(guān)的等效串聯(lián)電阻（ESR）。

　　理論上，一個(gè)“完滿”的電容器應(yīng)當(dāng)表現(xiàn)為ESR為零歐姆、純?nèi)菘剐缘臒o(wú)阻抗元件。不論何種頻率，電流通過(guò)電容時(shí)都會(huì)比電壓提早正巧90度的相位。

　　實(shí)際上，電容是不完滿的，會(huì)或多或少存在必定值的ESR。一個(gè)特定電容的ESR隨著頻率的改變而改變，并且是有等式聯(lián)系的。這是由於ESR的來(lái)歷是導(dǎo)電電極構(gòu)造的特性和絕緣介質(zhì)的構(gòu)造特性。為了模型化剖析，把ESR當(dāng)成單個(gè)的串聯(lián)寄生元。曩昔，所有的電容參數(shù)都是在1MHz的標(biāo)準(zhǔn)頻率下測(cè)得，但當(dāng)今是一個(gè)更高頻的世界，1MHz的條件是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。一個(gè)功能優(yōu)秀的高頻電容給出的典型參數(shù)值應(yīng)當(dāng)為：200MHz ，ESR＝0.04Ω；900MHz， ESR＝0.10Ω；2000MHz，ESR＝0.13Ω。

　　貼片電容Q值是一個(gè)無(wú)量綱數(shù)，數(shù)值上等於電容的電抗除以寄生電阻（ESR）。Q值隨頻率改變而有很大的改變，這是由於電抗和電阻都隨著頻率而變。頻率或者容量的改變會(huì)使電抗有著十分大的改變，因而Q值也會(huì)跟著發(fā)作很大的改變。從公式一和二上能夠表現(xiàn)出來(lái)：

　　公式一：|Z| = 1 / ( 2πf C)其間，|Z|為電抗的絕對(duì)值，單位Ω；f為頻率，單位Hz；C為容量，單位元F。

　　公式二：Q = |Z| / ESR其間，Q代表“質(zhì)量要素”，無(wú)量綱；|Z|為電抗的絕對(duì)值，單位Ω；ESR為等效串聯(lián)電阻，單位Ω。

　　用從向量網(wǎng)路剖析器收集而得的S參數(shù)去推導(dǎo)ESR是不可信的。首要原因是這個(gè)材料的精度受限於網(wǎng)路剖析器在50Ω體系中的精度（典型的± 0.05 dB丈量精度在電容低到±0.01 dB低損耗區(qū)是精度缺乏的）。相同，用LCR外表去丈量高Q器件的Q和ESR也是不可信的。這是由於當(dāng)元件的Q 值十分高時(shí)，LCR 外表不能正確地分辨出十分小的電阻（R）和十分大的電抗（Z）。因而，高Q電容器的ESR和Q的丈量辦法，通常使用作為職業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的諧振線路測(cè)驗(yàn)法。

　　這種測(cè)驗(yàn)辦法作為在射頻RF上丈量Q和ESR 的職業(yè)標(biāo)準(zhǔn)而長(zhǎng)期存在。因?yàn)樵撧k法依靠於信號(hào)發(fā)作器的頻率準(zhǔn)確度（該頻率能夠十分準(zhǔn)確的丈量），所以該材料的採(cǎi)樣辦法是十分準(zhǔn)確的?，F(xiàn)代的電容ESR十分之小，以至於這個(gè)丈量辦法的精度也只能到達(dá)接近±10%。但不論如何，這仍然是當(dāng)前最準(zhǔn)確的在射頻RF方面有效丈量Q和ESR的辦法。